特許
J-GLOBAL ID：200903047858907421

アモルファス導電性拡散バリアを形成する方法

発明者：
シェン テン スー

シェン テン スー について

, 
ダグラス ジェイムズ ツィート

ダグラス ジェイムズ ツィート について

, 
ウェイ パン

ウェイ パン について

, 
デビッド ラッセル エバンス

デビッド ラッセル エバンス について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-161493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050588
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 隣接する構造への金属の拡散を妨げるように作用し、適切な導電体として作用する導電性拡散バリアを形成する方法を提供すること。【解決手段】 本発明の導電性拡散バリアを形成する方法は、半導体基板を作製する工程と、半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着(CVD)を用いて耐熱性金属と窒素の第1の比率MaNbを有する耐熱性金属(M)窒化物(N)を堆積し、CVDを用いて耐熱性金属と窒素の第2の比率MxNyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、該バリア層の上に金属層を堆積する工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
導電性拡散バリアを形成する方法であって、a)半導体基板を作製する工程と、b)該半導体基板の上にバリア層を形成する工程であって、化学蒸着(CVD)を用いて、耐熱性金属と窒素の第1の比率MaNbを有する耐熱性金属(M)窒化物(N)を堆積して、CVDを用いて、耐熱性金属と窒素の第2の比率MxNyを有する同じ耐熱性金属窒化物を堆積する工程と、c)該バリア層の上に金属層を堆積する工程と、を包含する方法。
IPC (7件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/04 ,  B32B 31/00 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/768
FI (7件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/04 Z ,  B32B 31/00 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/90 D
Fターム (64件)：
4F100AA12B ,  4F100AA12C ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AB01A ,  4F100AB01D ,  4F100AB17D ,  4F100AB24D ,  4F100AB25D ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10D ,  4F100EH66B ,  4F100EH66C ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JA12B ,  4F100JA12C ,  4F100JJ03B ,  4F100JJ03C ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA05 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104HH04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033LL09 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP12 ,  5F033PP33 ,  5F033WW06 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM