特許
J-GLOBAL ID：200903000898809264
高オン耐圧ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236862
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060221
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】HBTのオン耐圧を高めることで、HBTの出力特性及び大きなインピーダンス不整合(高VSWR)に耐えるHBTの能力を向上させた、優れたオン耐圧VCEを備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を提供する。【解決手段】HBTのコレクタ領域を構成するコレクタ層とサブコレクタ層との接合部近辺における高電界を抑制することによって、オン耐圧を向上させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
上記基板の上に形成され、第1材料により形成されると共にそれぞれ不純物濃度が異なる複数の層からなるコレクタ領域と、
上記コレクタ領域の上に形成され、上記第1材料により形成された少なくとも一つの層を有するベース領域と、
上記ベース領域の上に形成され、第2材料により形成された少なくとも一つの層を有するエミッタ領域と、
上記エミッタ領域の上に形成され、上記第1材料により形成された第1層及び第3材料により形成された第2層を有するコンタクト領域とを備え、
上記コレクタ領域は、コレクタ領域を形成する上記複数の層の内の2つの層の近傍の電界を弱めて、オン耐圧を改善することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331
, H01L 29/737
5F003AP00
, 5F003BA92
, 5F003BC01
, 5F003BE90
, 5F003BF06
, 5F003BM03
