特許

J-GLOBAL ID：200903000953789987

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： 長谷部 一秀 ,  岡田 充弘
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-173036
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066884
出願日： 2005年06月13日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】 シリコン窒化膜の成膜処理後に、この表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体Wの表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してCVD(Chemical Vapor Deposition)により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、を備える。これにより、被処理体の表面にパーティクルが発生乃至付着することを防止する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して加熱された被処理体の表面にシリコン窒化膜の薄膜を堆積させるようにした成膜方法において、 前記処理容器内に前記シラン系ガスと前記窒化ガスとを供給してCVD(Chemical Vapor Deposition)により前記シリコン窒化膜の薄膜を堆積する薄膜形成工程と、 前記薄膜形成工程の後に前記処理容器内に窒化ガスを流して前記薄膜の表面を窒化する表面窒化工程と、 を備えたことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (6件)：

H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 J ,  H01L21/31 C ,  H01L21/90 K

Fターム (46件)：

4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030DA08 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR06 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS13 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AE23 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF01 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF74 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 縦型半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-107067   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (3件)

• シリコン窒化膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107443   出願人：三菱電機株式会社
• SiNx/PSG積層構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-296256   出願人：ソニー株式会社
• プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-356974   出願人：国際電気株式会社