特許
J-GLOBAL ID：200903000961704273
導電性パターンの製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-434742
公開番号（公開出願番号）：特開2005-186597
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 微細かつ厚膜の導電性パターンを高い精度でもって、効率よく短時間で、しかも低コストで製造する方法を提供する。 【解決手段】 円筒状の凹版(凹版胴10)にインキを供給する工程と、ブランケット胴15に装着してなるシリコーンブランケット16を凹版に当接させて凹版からシリコーンブランケット16へインキを転移させる工程と、シリコーンブランケット16を凹版から離間させて、これを基材(被転写体)20に圧接しつつ転動させて、シリコーンブランケット16から基材20へとインキを転写する工程と、を含む一連の印刷工程を実行し、当該印刷工程を1回または所定回数終えた後に、シリコーンブランケット16を凹版から離間させて、シリコーンブランケット16の表面を乾燥させる工程を実行する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
円筒状の凹版にインキを供給する工程と、
ブランケット胴に装着してなるシリコーンブランケットを上記凹版に当接させて凹版からシリコーンブランケットへインキを転移させる工程と、
上記シリコーンブランケットを凹版から離間させて、これを被転写体に圧接しつつ転動させて、シリコーンブランケットから被転写体へとインキを転写する工程と、
を含む一連の印刷工程を実行し、
当該印刷工程を1回または所定回数終えた後に、上記シリコーンブランケットを凹版から離間させて、当該シリコーンブランケットの表面を乾燥させる工程を実行する
ことを特徴とする導電性パターンの製造方法。
IPC (4件)：
B41M1/10
, B41M3/00
, H01J9/02
, H01J11/02
B41M1/10
, B41M3/00 Z
, H01J9/02 F
, H01J11/02 B
2H113AA04
, 2H113BA03
, 2H113BB14
, 2H113BB33
, 2H113BC12
, 2H113CA17
, 2H113DA64
, 2H113FA32
, 5C027AA02
, 5C027AA10
, 5C040FA10
, 5C040GC19
, 5C040GC20
, 5C040JA12
, 5C040JA19
, 5C040JA31
, 5C040KA01
, 5C040KA08
, 5C040KA09
, 5C040KA17
, 5C040MA24
, 5C040MA26
