特許
J-GLOBAL ID：200903000986956897
半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364155
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188369
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 従来、半導体チップの片側をモールド樹脂で封止した構造をもつため、半導体チップとモールド樹脂との間のバイメタル現象により、温度変化した場合、半導体装置に反りが発生する。この反りにより、半導体装置とプリント基板との間の接続部分に応力が発生し、接続部にクラックが発生する。【解決手段】 絶縁性基板4上に搭載された複数の半導体チップ1a、1bのうち、面積の大きい半導体チップ1aの厚さが、面積の小さい半導体チップ1bの厚さよりも厚い。
請求項（抜粋）：
半導体チップ搭載面側に配線層が形成され、上記半導体チップ搭載面と反対面側に実装用外部端子が形成された絶縁性基板上に、上記配線層と電気的に接続された複数の半導体チップが積層されてなる半導体装置において、上記半導体チップは、面積の大きい半導体チップの方が面積の小さい半導体チップに比べて厚さが厚いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
