特許

J-GLOBAL ID：200903001022919689

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、および強誘電体メモリ

発明者： 木島 健 ,  ▲濱▼田 泰彰 ,  古林 智一 ,  宮澤 弘
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-376701
公開番号（公開出願番号）：特開2006-096647
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 良好なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタ、および誘電体メモリを提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記強誘電体メモリおよび強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。【解決手段】 本発明にかかる強誘電体膜101は、(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3の一般式で示される強誘電体からなり、Bは、ZrおよびTiの少なくとも一方からなり、Xは、NbおよびTaの少なくとも一方からなり、aは、0.05≦a≦0.4の範囲であり、dは、0<d<1の範囲である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(Pb1-dBid)(B1-aXa)O3の一般式で示される強誘電体を含み、 Bは、ZrおよびTiの少なくとも一方からなり、 Xは、NbおよびTaの少なくとも一方からなり、 aは、0.05≦a≦0.4の範囲であり、 dは、0<d<1の範囲である、強誘電体膜。

IPC (6件)：

C04B 35/49 ,  C04B 35/46 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824

FI (6件)：

C04B35/49 D ,  C04B35/46 L ,  H01L21/316 G ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 444Z

Fターム (38件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA32 ,  4G031AA35 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA04 ,  4G031GA05 ,  4G031GA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 強誘電体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-267274   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• 高純度誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-024294   出願人：三菱マテリアル株式会社
• チタン酸鉛系誘電体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-210644   出願人：工業技術院長