特許
J-GLOBAL ID：200903063637625516

強誘電体記憶装置およびその製造方法

発明者：
荒瀬 謙士朗

荒瀬 謙士朗 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267274
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116107
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルが1個の強誘電体キャパシタだけで構成された大容量かつ高集積可能な強誘電体記憶装置を実現する。【解決手段】 列状に配線されたそれぞれの主ビット線MBLN、MBLN+1が、選択トランジスタSTN、STN+1を介して、複数の副ビット線の中から任意の副ビット線SBLN、SBLN+1に接続され、上記副ビット線と行状に配線された複数のワード線WL1〜WLMが交差する格子位置にそれぞれ1個の強誘電体キャパシタよりなるメモリーセルC1,N 〜C1,N+1 が配置され、上記強誘電体キャパシタの一方の電極が上記副ビット線に、他の一方の電極が上記ワード線に他の一方の電極が上記ワード線に接続されている。
請求項（抜粋）：
列状に配線されたそれぞれの主ビット線が接続手段を介して複数の副ビット線に接続され、上記副ビット線と行状に配線された複数のワード線が交差する格子位置にそれぞれ1個の強誘電体キャパシタよりなるメモリセルが配置され、それぞれの強誘電体キャパシタの一方の電極が上記副ビット線に,他の一方の電極が上記ワード線に接続され、上記強誘電体キャパシタの分極方向によって、互いに逆相の第1のデータまたは第2のデータのどちらかのデータを記憶する強誘電体記憶装置。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-252326   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-051273   出願人：株式会社日立製作所
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-282008   出願人：株式会社日立製作所
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