半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058836
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】プラスチック基板のような低耐熱性の基板を用いた場合であっても、基板に損傷を与えることなく半導体膜の水素化を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】多結晶Si膜により活性領域が構成された薄膜トランジスタの製造方法において、プラスチック基板1上に、アモルファス状のSi膜5を形成した後、パルスレーザビーム10を照射してSi膜5を結晶化することにより、多結晶Si膜11を形成する。多結晶Si膜11のソース領域8、ドレイン領域9上の電極12,13を形成した後、全面に、水素含有膜としてSiNx 膜14を形成する。パルスレーザビーム15を照射してSiNx 膜14を加熱することにより、SiNx 膜14中の水素を多結晶Si膜11に拡散させ水素化を行い、多結晶Si膜11の結晶粒界のトラップ密度を低減する。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を形成する工程と、上記半導体膜上に水素含有膜を形成する工程と、パルスエネルギービームを照射して上記水素含有膜を加熱することにより上記水素含有膜中の水素を上記半導体膜に拡散させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 29/78 627 E , H01L 21/268 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタの水素化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-180734 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-294607 出願人：シャープ株式会社
特開昭62-035571

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