半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294607
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139502
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】軽量で安価なプラスチック基板上に高品質な結晶性ケイ素膜を形成し、高性能な半導体装置を実現する。【解決手段】プラスチック基板101上に結晶性ケイ素膜103iからなる活性領域が形成されている。この結晶性ケイ素膜103iは、水素濃度が5×1020atoms/cm3以下の非晶質ケイ素膜をエネルギービーム照射により結晶成長させたものからなる。また、結晶性ケイ素膜103iは、厚さ300nm以上の絶縁性ケイ素化合物膜102を間に介してプラスチック基板101上に形成されている。

請求項（抜粋）：

高分子材料からなる基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、エネルギービーム照射により非晶質ケイ素膜を結晶成長させたものからなり、該非晶質ケイ素膜中の水素濃度が5×1020atoms/cm3以下である半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 626 C , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 627 G

引用特許：

出願人引用 (5件)

多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269562 出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-223679 出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-179502 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (7件)

特開平4-226040
特開平4-226040
特開平4-332134

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