特許
J-GLOBAL ID：200903001043537492

垂直磁化膜を用いた磁気メモリ及びその製造方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301771
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110094
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】垂直磁化膜を用いた磁気メモリで使用される磁気抵抗素子において、微細化する際に問題となる反転磁界の増大をなくす。【解決手段】 垂直磁化膜からなる第1磁性層11と非磁性層10と垂直磁化膜からなる第2磁性層12が積層された磁気抵抗素子と、磁界発生機構と、を有する磁気メモリにおいて、式(1)であらわされる第1磁性層11の反転磁界Hcが、磁界発生機構から発生する磁界よりも小さくなるようにする。【数1】Ku,Msは、各々、第1磁性層11の垂直磁気異方性定数、飽和磁化であり、fは、第1磁性層11の膜厚をT、幅と長さをWとすると、f=7×10-13(T/W)4-2×10-9(T/W)3+3×10-6(T/W)2-0.0019(T/W)+0.9681である。
請求項（抜粋）：
垂直磁化膜からなる第1磁性層と非磁性層と垂直磁化膜からなる第2磁性層が積層されてなり、該第2磁性層の反転磁界が、該第1磁性層の反転磁界より小さく、該第1磁性層の磁化方向と該第2磁性層の磁化方向の相対角度によって、該第1磁性層と該第2磁性層間に電流を流した時の抵抗値が異なる磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子の該第1磁性層の磁化方向を反転させるために設けられた磁界発生機構と、を有した磁気メモリにおいて、以下の式(1)であらわされる該第1磁性層の反転磁界Hcが、該磁界発生機構から発生する磁界よりも小さくなるように設定されることを特徴とする磁気メモリ。【数1】ここで、Ku,Msは、各々、該第1磁性層の垂直磁気異方性定数、飽和磁化であり、fは、該第1磁性層の膜厚をT、幅と長さをWとすると、式(2)で表されるファクターである。【数2】
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (9件)：
5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA30 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (4件)
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