特許
J-GLOBAL ID：200903001070915393

記憶素子、メモリ

発明者：
肥後 豊

肥後 豊 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156477
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 静電破壊を発生することなく情報の記録を行うことができると共に、情報の読み出しの際の出力を充分な大きさで得ることを可能にする記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層13と、磁化固定層11と、その間の非磁性層12とを有し、記憶層13の磁化固定層11とは反対側に、中間層14を介して、それぞれ独立したパターンで形成された、2つのスピン注入層21,22が設けられ、2つのスピン注入層21,22の磁化M21,M22の向きが互いに反対の向きであり、一方のスピン注入層から他方のスピン注入層へ、記憶層13を通じて電流を流すことにより、記憶層13の磁化の向きが変化して、情報の記録が行われる記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層と、 磁化の向きが固定された磁化固定層と、 前記記憶層及び前記磁化固定層との間に挟まれた非磁性層とを有し、 前記記憶層の前記磁化固定層とは反対側に、中間層を介して、それぞれ独立したパターンで形成され、前記記憶層にスピンを注入するための2つのスピン注入層が設けられ、 2つの前記スピン注入層の磁化の向きが互いに反対の向きであり、 一方の前記スピン注入層から他方の前記スピン注入層へ、前記記憶層を通じて電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  G11C11/15 112 ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447
Fターム (4件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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