特許
J-GLOBAL ID:200903001111692469

熱電材料及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 畠山 文夫 ,  小林 かおる
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-156113
公開番号(公開出願番号):特開2008-021982
出願日: 2007年06月13日
公開日(公表日): 2008年01月31日
要約:
【課題】出力因子が高く、かつ熱伝導度が小さいFe2VAl基ホイスラー化合物及びその製造方法を提供すること。【解決手段】次の(1)式で表される組成を有するホイスラー化合物からなる熱電材料及びその製造方法。 (Fe1-zM1z)2-y(V1-uM2u)(Al1-xM3x) ・・・(1) 但し、M1は、3d、4d、5d遷移金属元素(Feを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。M2は、3d、4d、5d遷移金属元素(Vを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。M3は、IIIb族元素(Alを除く)及びIVb族元素からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。0≦x≦1.0、0<y≦0.8、0≦z≦0.5、0≦u≦0.5、0≦x+z+u。【選択図】図5
請求項(抜粋):
次の(1)式で表される組成を有するホイスラー化合物からなる熱電材料。 (Fe1-zM1z)2-y(V1-uM2u)(Al1-xM3x) ・・・(1) 但し、 M1は、3d、4d、5d遷移金属元素(Feを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。 M2は、3d、4d、5d遷移金属元素(Vを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。 M3は、IIIb族元素(Alを除く)及びIVb族元素からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。 0≦x≦1.0、 0<y≦0.8、 0≦z≦0.5、 0≦u≦0.5、 0≦x+z+u。
IPC (4件):
H01L 35/20 ,  H01L 35/34 ,  C22C 38/00 ,  C22C 33/02
FI (4件):
H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C38/00 304 ,  C22C33/02 B
Fターム (13件):
4K018AA24 ,  4K018BA02 ,  4K018BA03 ,  4K018BA04 ,  4K018BA07 ,  4K018BA09 ,  4K018BA10 ,  4K018BA13 ,  4K018BB04 ,  4K018DA11 ,  4K018EA01 ,  4K018EA11 ,  4K018EA21
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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