特許
J-GLOBAL ID:200903001111692469
熱電材料及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
畠山 文夫
, 小林 かおる
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-156113
公開番号(公開出願番号):特開2008-021982
出願日: 2007年06月13日
公開日(公表日): 2008年01月31日
要約:
【課題】出力因子が高く、かつ熱伝導度が小さいFe2VAl基ホイスラー化合物及びその製造方法を提供すること。【解決手段】次の(1)式で表される組成を有するホイスラー化合物からなる熱電材料及びその製造方法。 (Fe1-zM1z)2-y(V1-uM2u)(Al1-xM3x) ・・・(1) 但し、M1は、3d、4d、5d遷移金属元素(Feを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。M2は、3d、4d、5d遷移金属元素(Vを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。M3は、IIIb族元素(Alを除く)及びIVb族元素からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。0≦x≦1.0、0<y≦0.8、0≦z≦0.5、0≦u≦0.5、0≦x+z+u。【選択図】図5
請求項(抜粋):
次の(1)式で表される組成を有するホイスラー化合物からなる熱電材料。
(Fe1-zM1z)2-y(V1-uM2u)(Al1-xM3x) ・・・(1)
但し、
M1は、3d、4d、5d遷移金属元素(Feを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。
M2は、3d、4d、5d遷移金属元素(Vを除く)からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。
M3は、IIIb族元素(Alを除く)及びIVb族元素からなる群から選ばれるいずれか1以上の元素。
0≦x≦1.0、
0<y≦0.8、
0≦z≦0.5、
0≦u≦0.5、
0≦x+z+u。
IPC (4件):
H01L 35/20
, H01L 35/34
, C22C 38/00
, C22C 33/02
FI (4件):
H01L35/20
, H01L35/34
, C22C38/00 304
, C22C33/02 B
Fターム (13件):
4K018AA24
, 4K018BA02
, 4K018BA03
, 4K018BA04
, 4K018BA07
, 4K018BA09
, 4K018BA10
, 4K018BA13
, 4K018BB04
, 4K018DA11
, 4K018EA01
, 4K018EA11
, 4K018EA21
引用特許: