特許
J-GLOBAL ID：200903001129776198
強誘電体薄膜の成膜方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050506
公開番号（公開出願番号）：特開2001-233700
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月28日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体薄膜の結晶化のための熱処理の際に構成元素が膜中から蒸発して組成の乱れが生じることを抑制して、分極特性の向上を図ること。【解決手段】 強誘電体薄膜を堆積した基板の2枚以上を、強誘電体薄膜どうしを向かい合わせて配置した状態で熱処理して強誘電体薄膜を結晶化させる。
請求項（抜粋）：
基板上に強誘電体薄膜を堆積した後、熱処理して強誘電体結晶薄膜を成膜する方法において、少なくとも2枚の基板を強誘電体薄膜どうしを向かい合わせに配置した状態で前記熱処理を行なうことを特徴とする強誘電体薄膜の成膜方法。
IPC (5件)：
C30B 33/02
, C30B 29/22
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, B01J 19/00
C30B 33/02
, C30B 29/22 D
, B01J 19/00 K
, H01L 27/10 651
