半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-268748
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122734
出願日： 1993年10月27日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】高周波帯で用いるヘテロ接合を持つ半導体基板上に、そのヘテロ界面の急俊性を害さずに、強誘電体又は高誘電率を有する誘電体を形成する。【構成】ヘテロ接合を持つGaAs基板1に形成した電界効果トランジスタ20、抵抗素子、及び高誘電体薄膜6を用いたキャパシタ21を集積化した半導体集積回路より成る。高誘電率を有する誘電体薄膜6は、チタン酸バリウムとチタン酸ストロンチウムとの混晶より成り、且つ前記チタン酸バリウムの組成比が70%以下である誘電体材料より成る。誘電体薄膜6の熱処理温度は、GaAs基板1のヘテロ接合をエピタキシャル成長する際の成長温度(例えば摂氏620度)よりも低い温度(例えば摂氏600度)である。従って、GaAs基板1のヘテロ接合の劣化を招かずに、基板1上に大容量のキャパシタ21等を小面積で配置でき、チップの小型化が可能となる。

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記ヘテロ接合の形成温度以下の熱処理温度で形成可能な強誘電体薄膜又は高誘電率を有する誘電体薄膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

マイクロ波集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-292570 出願人：株式会社東芝
特開昭63-178556
厚膜無機複合酸化物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-147454 出願人：株式会社リコー

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