特許

J-GLOBAL ID：200903001182475175

半導体記憶装置

発明者： 谷崎 哲志 ,  木下 充矢 ,  藤野 毅 ,  鶴田 孝弘 ,  森下 玄 ,  天野 照彦 ,  有本 和民 ,  小林 真子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004909
公開番号（公開出願番号）：特開平11-203862
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 安定かつ高速でかつさらに低消費電力で動作する大記憶用量の半導体記憶装置を実現する。【解決手段】 矩形状の半導体基板領域(1)を複数行複数列の領域に分割し、中央領域(1e)を取囲むようにメモリアレイブロック(B0〜B7)を配置する。複数のメモリアレイブロックを複数のバンクに分割する。この矩形状半導体記憶装置の両側の周辺領域(69)を、センスアンプ電源回路を配置する領域(69a,69b)として利用して中央領域4隅の領域にワード線上に伝達される電圧を生成する回路(61e〜61h)を配置する。

請求項（抜粋）：

矩形状半導体基板領域の中央部に配置される中央領域を取囲むように、かつ互いに分離して配置され、かつさらに各々が行列状に配列される複数のメモリセルを含む複数のメモリブロック、前記矩形状半導体基板領域の第1の方向についての両端部の前記複数のメモリブロックの外部に位置する周辺領域内に配置され、前記複数のメモリブロック内のメモリセルへ伝達される電圧を生成するための複数のアレイ電源回路、および前記中央領域に配置され、前記複数のメモリブロックへのアクセスを制御するための制御回路を備える、半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 11/407 ,  G11C 8/00 312 ,  G11C 11/41 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (7件)：

G11C 11/34 362 S ,  G11C 8/00 312 ,  G11C 11/34 345 ,  G11C 11/34 354 D ,  G11C 11/34 362 H ,  G11C 11/34 371 K ,  H01L 27/10 681 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-229175   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101053   出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195845   出願人：株式会社日立製作所