特許
J-GLOBAL ID:200903001205500024
半導体発光素子
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-059145
公開番号(公開出願番号):特開2005-251922
出願日: 2004年03月03日
公開日(公表日): 2005年09月15日
要約:
【課題】窒化ガリウム系半導体を用いた半導体発光素子において、シリコン基板を用いても高い発光効率を有する発光ダイオードなどの半導体発光素子を得ることにある。【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる活性層6の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がp型窒化ガリウム系半導体からなる第1クラッド層7で埋められた構造を有する半導体発光素子とする。活性層6の下地層の一部をなすn型窒化ガリウム系半導体からなる第2クラッド層5の転位欠陥密度が109〜1011/cm2であることが好ましく、第2クラッド層5における転位欠陥の間隔が120〜170nmであることが好ましい。また、下地層の全厚さが3μm以下であることも好ましい。活性層6を有機金属気相成長法により形成し、その製膜圧力条件を大気圧また大気圧よりもやや低い圧力とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
窒化ガリウム系半導体からなる活性層の表面がピラミッド状の凹凸構造となっており、この凹凸構造の凹部がp型窒化ガリウム系半導体からなる第1クラッド層で埋められた構造を有する半導体発光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (30件):
4K030AA06
, 4K030AA11
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA01
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030LA14
, 5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA99
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AE29
, 5F045CA09
, 5F045DA52
, 5F045DA61
引用特許:
前のページに戻る