特許
J-GLOBAL ID：200903001220556583

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
大谷 久

大谷 久 について

, 
大沼 英人

大沼 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058317
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242476
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 ニッケルを利用して非晶質珪素膜を結晶化させた結晶性珪素膜を用いて特性の安定したTFTを得る。【解決手段】 マスク109を利用して燐イオンを111、112の領域に加速注入する。そして加熱処理を施すことにより、113の領域に存在するニッケルを111、112の領域にゲッタリングさせる。その後、マスク109をサイドエッチングし、115のパターンを得る。そしてこのパターン115を利用して111、112の領域を除去し、さらに113の領域をパターニングする。こうしてニッケル元素が除去された116の領域を得る。さらにこの116の領域を活性層としてTFTを作製する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶性珪素膜を形成する工程と、前記結晶性珪素膜上にマスクを形成する工程と、前記マスクを利用して結晶性珪素膜の特定の領域に前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、前記マスクを利用して素子の活性層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500
FI (5件)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 618 G
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM