配線構造、配線形成方法及び配線形成装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡邉勇 , 堀田信太郎 , 小杉良二 , 廣澤哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-349508
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160002
出願日： 2006年12月26日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】銅または銅合金からなる低抵抗の銅配線の表面に、置換めっきによる触媒付与を行うことなく、無電解めっきによる配線保護膜を選択的に形成する。【解決手段】基板Wに形成した銅または銅合金配線9の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜12で選択的に覆われており、触媒含有膜12の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜10で選択的に覆われている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板に形成した銅または銅合金配線の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤として用いる無電解蓋めっきの際の触媒を含有する、めっきで形成された触媒含有銅合金からなる触媒含有膜で選択的に覆われており、前記触媒含有膜の基板表面側の界面の全てが、次亜リン酸を還元剤とした無電解蓋めっきで形成された配線保護膜で選択的に覆われたことを特徴とする配線構造。

IPC (7件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/288 , C23C 18/16 , C23C 18/18 , C23C 18/52 , C23C 28/02

FI (7件)：

H01L21/88 R , H01L21/88 M , H01L21/288 E , C23C18/16 B , C23C18/18 , C23C18/52 B , C23C28/02

Fターム (72件)：

4K022AA02 , 4K022AA05 , 4K022AA41 , 4K022BA03 , 4K022BA04 , 4K022BA06 , 4K022BA08 , 4K022BA09 , 4K022BA12 , 4K022BA13 , 4K022BA15 , 4K022BA18 , 4K022BA22 , 4K022BA24 , 4K022BA32 , 4K022BA33 , 4K022BA34 , 4K022BA35 , 4K022BA36 , 4K022CA06 , 4K022CA28 , 4K022DA01 , 4K022DB02 , 4K044AA11 , 4K044BA02 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BA12 , 4K044BA18 , 4K044BB04 , 4K044BB10 , 4K044BC02 , 4K044CA15 , 4K044CA18 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB32 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH05 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH15 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033XX05 , 5F033XX18 , 5F033XX20 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-040738 出願人：ソニー株式会社
触媒処理方法及び触媒処理液
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-065969 出願人：株式会社荏原製作所, 荏原ユージライト株式会社
めっき方法及びめっき装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-360974 出願人：株式会社荏原製作所

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