特許
J-GLOBAL ID：200903069166382071

半導体装置の製造方法

発明者：
駒井 尚紀

駒井 尚紀 について

, 
瀬川 雄司

瀬川 雄司 について

, 
野上 毅

野上 毅 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-040738
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230220
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：
【要約】【課題】 銅(銅合金)配線表面に対するパラジウムによる触媒化を選択的かつ均一に行って、次亜リン酸塩を還元剤として用いる無電解めっきのめっき性の改善、配線の信頼性の向上を図る。【解決手段】 無電解めっき法によって銅もしくは銅合金を用いた金属配線21上にこの金属配線21の拡散防止として機能するバリア膜31を形成する際に、液温が30°C以上沸点未満の置換めっき液を用いる置換めっき法によって金属配線21上に無電解めっきの触媒として作用する触媒金属膜26を選択的に形成する工程と、無電解めっき法によって触媒金属膜26上にバリア膜31を選択的に形成する工程とを備えた製造方法である。
請求項（抜粋）：
無電解めっき法によって銅もしくは銅合金を用いた金属配線上に前記金属配線の拡散防止として機能するバリア膜を形成する際に、液温が30°C以上沸点未満の置換めっき液を用いる置換めっき法によって前記金属配線上に無電解めっきの触媒として作用する触媒金属膜を選択的に形成する工程と、無電解めっき法によって前記触媒金属膜上に前記バリア膜を選択的に形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/288 ,  C23C 18/16 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/288 M ,  C23C 18/16 B ,  H01L 21/88 M
Fターム (50件)：
4K022AA02 ,  4K022AA41 ,  4K022BA06 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA24 ,  4K022CA06 ,  4K022CA19 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD47 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104DD89 ,  4M104EE12 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104HH01 ,  4M104HH05 ,  4M104HH16 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH22 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033TT02 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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