特許
J-GLOBAL ID：200903001254492290

ポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-081329
公開番号（公開出願番号）：特開2003-280199
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 レジストパターンプロファイル、真空チャンバー内での引き置きによる線幅変動が改善されたポジ型レジスト組成物が提供すること。【解決手段】(a)下記一般式(I)で表される構造の酸分解性基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。式(I)中、R1、R2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、Wは2価の有機基を表し、Xは-S-、-N(R4)CO-、-Se-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO-、又は-SO2-を表す。(ここで、R4は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)
請求項（抜粋）：
(a)下記一般式(I)で示される基を含有する構造単位を有し、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び(b)活性放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型電子線、X線又はEUV用レジスト組成物。【化1】式(I)中、R1、R2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、又は炭素数1〜4のアルキル基を表し、Wは2価の有機基を表し、Xは-S-、-N(R4)CO-、-Se-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO-、又は-SO2-を表し(ここで、R4は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す)、R3は置換基を有してもよい鎖状アルキル基、置換基を有してもよい環状アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。)
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (53件)：
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AB02R ,  4J100AB04R ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02H ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA05H ,  4J100BA05Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA12H ,  4J100BA12Q ,  4J100BA15H ,  4J100BA15R ,  4J100BA20H ,  4J100BA20Q ,  4J100BA34H ,  4J100BA34Q ,  4J100BA35H ,  4J100BA35R ,  4J100BA51H ,  4J100BA51Q ,  4J100BA55Q ,  4J100BA58Q ,  4J100BA93H ,  4J100BA93Q ,  4J100BC43H ,  4J100BC43Q ,  4J100CA05 ,  4J100DA38 ,  4J100DA39 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HC33 ,  4J100HC70 ,  4J100HC71 ,  4J100HC83 ,  4J100JA37
引用特許：
審査官引用 (4件)
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