特許
J-GLOBAL ID：200903001285856444

III-V族化合物半導体発光素子のp側電極及びIII-V族化合物半導体発光素子

発明者：
野崎 千晴

野崎 千晴 について

, 
ジョン レニ-

ジョン レニ- について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078929
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274554
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、III-V族化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層とのコンタクト抵抗を低減でき、熱的に安定なp型電極を得ることにより、低しきい値電流、低動作電圧で、劣化を起こさず、優れた信頼性の実現を図る。【解決手段】 III-V族化合物半導体発光素子において、p側電極100としてp型コンタクト層9側から順に、コンタクト金属にMgX AuY (X>Y)層10、Pt層11、Au層12を積層して形成することにより、低抵抗で熱的に安定なp型コンタクトを実現できる。
請求項（抜粋）：
p型III-V族化合物半導体層上に、MgX AuY (X>Y)層と、Pt層、Mo層又はW層のうち少なくとも一つの金属層と、さらに、Au層とが順次積層されていることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子のp側電極。
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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