特許

J-GLOBAL ID：200903001327312369

半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法

発明者： 石原 宏 ,  丸山 研二 ,  田村 哲朗 ,  鉾 宏真
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229896
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214532
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】本発明は、不揮発性半導体記憶装置等に利用される半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法に関し、セルの微細化及び集積化が可能で、データの記憶特性に優れ、低消費電力化が可能な半導体素子及びそれを用いた半導体記憶装置、及びそのデータ書込み方法、データ読出し方法、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子としての強誘電体ゲート付きpn接合ダイオードGDは、強誘電体膜26上に形成されたゲート電極28と、強誘電体膜26下方の半導体基板2に強誘電体膜26の分極方向によって反転層が形成される反転層形成領域90と、反転層形成領域90を挟んだ両側の一方に形成されたカソード領域62と、当該両側の他方に形成されたアノード領域64とを有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上方に形成された強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成されたゲート電極と、 前記強誘電体膜下方に形成された不純物活性化領域と、 前記不純物活性化領域を挟んだ両側の一方に形成された高濃度のn型不純物活性化領域と、 前記両側の他方に形成された高濃度のp型不純物活性化領域と、 を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788

FI (2件)：

H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371

Fターム (31件)：

5F083FR06 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR37 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BD22 ,  5F101BD35 ,  5F101BD41 ,  5F101BH02 ,  5F101BH09 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 強誘電体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-311088   出願人：富士通株式会社
• 特公昭34-003132
  
• 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-253161   出願人：財団法人理工学振興会

審査官引用 (2件)

• 特公昭34-003132
  
• 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-253161   出願人：財団法人理工学振興会