ホウ素ドーピングされたダイヤモンド

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：浅村皓 , 浅村肇 , 池田幸弘 , 長沼暉夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-553040
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512928
出願日： 2002年12月13日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

CVDにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層。この層は、単一の成長部分から形成されているか;又は、100μmを超える厚さを有しているか;又は、1mm3を超える体積を有しているか;又は、そのような諸特徴の組み合せを有している。

請求項（抜粋）：

CVDにより造られた、単結晶のホウ素ドーピングされたダイヤモンド層であって、全ホウ素濃度が均一であり、各々の測定点での方位分解能が50μm未満で測定される、大部分の体積の全体に渡る変動が50%未満であり、しかも、前記「大部分の体積」が、前記ダイヤモンド層の全体積の少なくとも70%を表しており、しかも、前記ダイヤモンド層が、次の特徴(i)〜(iii):即ち、 (i) 前記ダイヤモンド層は、単一の成長部分から形成されていること、 (ii) 前記ダイヤモンド層の厚さは、100μmを超えていること、及び (iii) 前記ダイヤモンド層の体積は、1mm3を超えていること、の少なくとも1つを有している、上記ダイヤモンド層。

IPC (2件)：

C30B29/04 , C23C16/27

FI (3件)：

C30B29/04 X , C30B29/04 A , C23C16/27

Fターム (30件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB03 , 4G077AB04 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077EB01 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE03 , 4G077HA01 , 4G077HA05 , 4G077TA04 , 4G077TC02 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 4K030AA07 , 4K030AA09 , 4K030AA18 , 4K030AA20 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030FA10 , 4K030JA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-233591
ダイヤモンド基板のクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-335919 出願人：住友電気工業株式会社
ダイヤモンドのプラズマエッチング加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-060649 出願人：並木精密宝石株式会社

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