特許
J-GLOBAL ID：200903043416846070
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340381
出願日： 1998年05月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 CuMoCu複合金属板を放熱板とする半導体装置において、放熱板の表面に形成するNIメッキ層による放熱性の劣化を改善する。【解決手段】 Mo板11の両面にCu板12をクラッドしたCuMoCu複合金属板で放熱板が形成され、放熱板の表面には1次のNiメッキ層21が形成され、かつ前記放熱板1の表面上にはセラミック枠2がろう付けされるとともに、前記セラミック枠2内の領域に前記放熱板1の表面上に半導体素子3がろう付けされた構成とし、さらに前記Niメッキ層21はその厚さが0.5μm以下に形成される。Niメッキ層21がこの厚さの範囲であれば、Ni濃度が高い合金層が形成されることはなく、放熱性が低くかつ硬度の高いNiとCuとの合金層が放熱板の表面領域に形成されることがなく、半導体素子3の放熱性の劣化が改善される。
請求項（抜粋）：
モリブデン板の両面に銅板をクラッドしたCuMoCu複合金属板で放熱板が形成され、前記放熱板の表面にはニッケルメッキ層が形成され、かつ前記放熱板の表面上にはセラミック枠が接合されるとともに、前記セラミック枠内の前記放熱板の表面上に半導体素子が搭載された半導体装置において、前記ニッケルメッキ層はその厚さが0.5μm以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/36
, C04B 37/02
, C23C 30/00
, H01L 23/373
H01L 23/36 C
, C04B 37/02 B
, C23C 30/00 B
, H01L 23/36 M
