特許

J-GLOBAL ID：200903001351837200

III-V族窒化物半導体の製造方法およびIII-V族窒化物半導体

発明者： 森 大樹 ,  中西 文毅 ,  山口 章
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142108
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300421
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：

【課題】再現性よく低いコンタクト抵抗を得られるオーミック電極を容易に製造できるIII-V族窒化物半導体の製造方法およびIII-V族窒化物半導体を提供する。【解決手段】III-V族窒化物半導体の製造方法は、準備工程と、成長工程と、電極形成工程とを備え、内部を真空に維持したチャンバ150内で、成長工程と電極形成工程とを連続して実施する。準備工程では、基板を準備する。成長工程では、基板上に、窒素元素を含むIII-V族窒化物半導体からなる半導体層を成長させる。電極形成工程では、半導体層に接触するようにオーミック電極を蒸着により形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を準備する準備工程と、 前記基板上に、窒素元素を含むIII-V族窒化物半導体からなる半導体層を成長させる成長工程と、 前記半導体層に接触するようにオーミック電極を蒸着により形成する電極形成工程とを備え、 内部を真空に維持したチャンバ内で、前記成長工程と前記電極形成工程とを連続して実施する、III-V族窒化物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/042 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

H01L21/28 301B ,  H01S5/323 610 ,  H01S5/042 612 ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/285 C

Fターム (20件)：

4M104AA04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB12 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA98 ,  5F173AH22 ,  5F173AK13 ,  5F173AP09 ,  5F173AP75

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物半導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128471   出願人：富士電機株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社
• 透光性電極及びその製造方法並びにそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-111621   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物系半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-037990   出願人：株式会社東芝