特許

J-GLOBAL ID：200903054164417270

透光性電極及びその製造方法並びにそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子

発明者： 村木 典孝 ,  三木 久幸 ,  奥山 峰夫
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111621
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314131
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 光透過性に優れた III族窒化物半導体発光素子用p型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 p型 III族窒化物半導体表面に金単体からなる薄膜を形成し、該金薄膜の表面を二酸化珪素薄膜で保護した構造の光透過性p型電極とする。金薄膜を二酸化珪素の保護膜で被覆しているので、オーミック接合を得るためのアニーリング工程でも金のボールアップが起こらず、高い光透過率が得られる。

請求項（抜粋）：

p型 III族窒化物半導体表面に金(Au)薄膜と二酸化珪素(SiO2 )薄膜を順次積層してなることを特徴とする透光性電極。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B

Fターム (30件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD78 ,  4M104EE05 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体用電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-092323   出願人：住友化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330944   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036618   出願人：豊田合成株式会社
• 窒素化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-021331   出願人：株式会社東芝