半球形シリコンの製造方法及び半球形シリコンを利用した半導体素子のキャパシタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161565
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084089
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は半球形シリコンが形成される下部のシリコン層のドーピングの有無、及び結晶構造に係りなく、一定の条件で半球形シリコンを形成させるため、下部のシリコン層の表面に薄い酸化膜を形成させた後、半球形シリコンを形成させるものである。【解決手段】半球形シリコンの製造方法において、半球形シリコンが蒸着される下部シリコン層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、シリコン層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記薄い酸化膜表面に半球形シリコンを形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半球形シリコンが蒸着される下部シリコン層の表面に形成された自然酸化膜を除去する工程と、シリコン層の表面に薄い酸化膜を形成する工程と、前記薄い酸化膜表面に半球形シリコンを形成する工程と、を含む半球形シリコンの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

引用特許：

審査官引用 (9件)

半球粒状面性多結晶シリコンの均一ドーピング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-140710 出願人：マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
特開昭60-247928
基板の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-165353 出願人：住友金属工業株式会社

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