研磨装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡邉勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-018169
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】研磨の均一性や品質を損なうことなく、高価なクリーンルーム内の床面積当たりのスループットを向上させることができる実用的な研磨装置を提供する。【解決手段】研磨加工面10を有し、所定の平面内運動をする研磨テーブル12と、基板Wを保持し、該基板の被研磨面を前記研磨テーブルの前記研磨加工面に対して前記基板を当接させる基板保持部材16とを有し、前記研磨加工面に研磨液Qを供給することにより化学機械的研磨作用を生じさせて基板を研磨する研磨装置において、1つの前記研磨テーブルに対して複数の前記基板保持部材が研磨作業を個別に制御可能に設けられている。

請求項（抜粋）：

研磨加工面を有し、所定の平面内運動をする研磨テーブルと、基板を保持し、該基板の被研磨面を前記研磨テーブルの前記研磨加工面に対して前記基板を当接させる基板保持部材とを有し、前記研磨加工面に研磨液を供給することにより化学機械的研磨作用を生じさせて基板を研磨する研磨装置において、1つの前記研磨テーブルに対して複数の前記基板保持部材が研磨作業を個別に制御可能に設けられていることを特徴とする研磨装置。

IPC (2件)：

B24B 37/04 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/04 E , B24B 37/04 A , H01L 21/304 622 G

Fターム (14件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA18 , 3C058AB03 , 3C058AB04 , 3C058AB08 , 3C058AC04 , 3C058BA01 , 3C058BA04 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体ウェハの研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-354794 出願人：コマツ電子金属株式会社
半導体ウェハ処理装置及び半導体ウェハ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-156111 出願人：株式会社東芝, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
基板の研磨方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143129 出願人：株式会社荏原製作所

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