特許

J-GLOBAL ID：200903074041450958

磁気抵抗素子及びその製造方法

発明者： 湯浅 新治
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章 ,  今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-210197
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004956
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】TMR素子における出力電圧を大きくする。【解決手段】単結晶MgO(001)基板11を準備し、50nm厚のエピタキシャルFe(001)下部電極(第1電極)17をMgO(001)シード層15上に室温で成長し、次いで、超高真空(2×10-8Pa)において、350°Cでアニールを行う。2nm厚のMgO(001)バリア層21をFe(001)下部電極(第1電極)17上に室温でエピタキシャル成長する。この際、MgOの電子ビーム蒸着を用いた。MgO(001)バリア層21上に室温で、厚さ10nmのFe(001)上部電極(第2電極)23を形成した。連続して、10nm厚さのCo層21をFe(001)上部電極(第2電極)23上に堆積した。次いで、上記の作成試料を微細加工してFe(001)/MgO(001)/Fe(001)TMR素子を形成する。これによりMRAMの出力電圧値を高めることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第1面側に形成されたBCC構造を有する第1の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第2面側に形成されたBCC構造を有する第2の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、 前記トンネル障壁層が、単結晶MgO(001)あるいは(001)結晶面が優先配向した多結晶MgOであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが0.2〜0.5eVのものからなり、 素子の室温での出力電圧が200mVより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447

Fターム (25件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119JJ01 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA02 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB05 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC13 ,  5F092BE02 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-037140   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089027   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-013220   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-068741   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Spin-Dependent tunneling conductance of Fe|MgO|Fe sandwiches