半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-291768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100896
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】複雑なプロセスを用いることなく、異なる特性のゲート絶縁膜を作り分けた複数のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板51の領域A,Bに異なるゲート絶縁膜構造のトランジスタQ1,Q2を形成する。トランジスタQ1,Q2のゲート絶縁膜は、高誘電体膜81と、これと基板51との反応により形成される界面層82a,83aにより構成される。領域Aの基板表面には、高誘電体膜81の形成前に窒素イオン注入層64を形成することにより、界面層82aは成長が抑制されて、領域B側の界面層83aより薄くなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に区画された第1の領域に形成された、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜が前記半導体基板からこの順に積層された構造の第1のゲート絶縁膜を有する第1のトランジスタと、前記半導体基板に区画された第2の領域に形成された、第3の絶縁膜と第4の絶縁膜が前記半導体基板からこの順に積層された構造であって且つ、前記第1のゲート絶縁膜に比べてシリコン酸化膜換算膜厚が厚い第2のゲート絶縁膜を有する第2のトランジスタとを有し、前記第2及び第4の絶縁膜は、同時に形成された高誘電体膜であり、前記第1及び第3の絶縁膜は、互いに組成又は膜厚が異なる界面層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 27/088 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 461 , H01L 27/08 102 C , H01L 27/10 681 F

Fターム (23件)：

5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BB18 , 5F048BE03 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA27 , 5F083JA02 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA35 , 5F083JA40 , 5F083NA01 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR39 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

ゲート絶縁膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-274454 出願人：日本電気株式会社
高誘電率金属酸化物を形成するための方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-231210 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
酸素注入によって形成された複数の厚さのゲート酸化物
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-586978 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア

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