特許

J-GLOBAL ID：200903001558076773

レジストパターン形成方法

発明者： 大西 廉伸 ,  松永 健太郎 ,  三本木 省次 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-285215
公開番号（公開出願番号）：特開2000-112146
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】断面形状が矩形でかつ露光量余裕度とフォーカス余裕度の広い現像プロセスを実現する。【解決手段】シリコンウェハ1,SiO2 膜2,反射防止膜3上に形成された化学増幅型ポジレジスト4を露光し、強アルカリの蒸気6を化学増幅型ポジレジスト4表面に吸着させ、化学増幅型ポジレジスト4全体を現像液を用いて現像し、レジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレジストを露光する工程と、強アルカリの物質を前記露光されたレジスト膜表面に吸着させる工程と、前記強アルカリの物質に比較して弱現像作用の現像液を用いて前記レジスト膜全体を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (17件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096CA05 ,  2H096CA14 ,  2H096EA02 ,  2H096FA01 ,  2H096FA04 ,  2H096GA03 ,  2H096GA09

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-014048
  
• レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-127286   出願人：富士通株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-107440   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-226758
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004047   出願人：沖電気工業株式会社