特許
J-GLOBAL ID：200903001608881354
窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子を備えたフリップチップ構造の発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高村 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-053462
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054420
出願日： 2005年02月28日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】電流分散効果を向上させると同時に優れた反射率を有するようp側電極構造が改善されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】窒化物半導体成長のための透光性基板31と、透光性基板31上に形成されたn型窒化物半導体層32と、n型窒化物半導体層32上に形成された活性層33と、活性層33上に形成されたp型窒化物半導体層34と、p型窒化物半導体層34上に形成され、Al含量が異なる第1及び第2窒化物層が複数回交互に積層されて成るメッシュ型DBR反射層35と、メッシュ型DBR反射層35とメッシュ型DBR反射層35のオープン領域に露出されたp型窒化物半導体層34上に形成されたオーミックコンタクト層36とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物半導体成長のための透光性基板と、
前記透光性基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたp型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層上に形成され、Al含量が異なる第1及び第2窒化物層が複数回交互に積層されて形成されたメッシュ型DBR反射層と、
前記メッシュ型DBR反射層と前記メッシュ型DBR反射層のオープン領域に露出した前記p型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CB15
, 5F041DA09
