特許
J-GLOBAL ID：200903025600084982
高反射率オーミックコンタクトを有するAlGaInNフリップ・チップ発光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-095381
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335014
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 高反射率オーミックコンタクトを有するIII-窒化物系発光ダイオードデバイスを提供する。【解決手段】 エピタキシーサイドダウン型すなわち反転型III-窒化物発光デバイス(LED)において、半透明で、高反射率を持ち、優れた電流拡散を行なうn型電極22及びp型電極金属被覆20を有する、高反射率オーミックコンタクトを備える。このn型電極及びp型電極の各々における入射光の吸収率は、LED活性領域のピーク発光波長において、通過当り25%未満に減少する。
請求項（抜粋）：
n型層とp型層と発光層とを有し、前記n型層とp型層とを介在させるとともに光λを放射可能な反転型AlInGaNヘテロ接合デバイス、及び2つの電極を備え、前記2つの電極の一方は、前記n型層に接続されたn型電極であり、前記2つの電極の他方は、前記p型層に接続されたp型電極であり、且つ、前記電極の各々は、前記発光層によって放射される光に対し80%を超える垂直入射反射率を有することを特徴とする発光デバイス。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA23
, 5F041AA33
, 5F041AA37
, 5F041BB07
, 5F041BB25
, 5F041CA13
, 5F041CA14
, 5F041CA33
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA93
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041CB36
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA26
, 5F041DA35
, 5F041FF11
