特許
J-GLOBAL ID：200903001646596108
半導体光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016924
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216495
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101上に、選択成長により活性層を含むメサ構造Mを形成し、このメサ構造Mの最上部にAlを含むAl含有層106を成長させる工程と、このAl含有層106を酸化させ酸化層107を形成する工程と、この酸化層107をマスクとして電流ブロック層108,109を成長させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、選択成長により活性層を含むメサ構造を形成し、このメサ構造の最上部にAlを含むAl含有層を成長させる工程と、このAl含有層を酸化させ酸化層を形成する工程と、この酸化層をマスクとして電流ブロック層を成長させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 665
, H01S 3/18 677
5F073AA26
, 5F073AA46
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073DA27
, 5F073EA29
