特許
J-GLOBAL ID：200903059150533198
光半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032385
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330676
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】MOVPE選択成長により作製された活性層の両脇のpnpn電流ブロック構造で埋め込んだ半導体装置において、MOVPE炉内で行うZnの開管拡散の手法を用いることにより、n-n接続を防止した構造を提供する。【解決手段】p-InP基板31上[011]方向に、一対のSiO2 ストライプマスクを間隔1.5μmで形成し、この1.5μmの領域へMOVPE選択成長により、活性層33を含む多層構造を形成する。この活性層の両脇をpnpn電流ブロック構造で埋め込み成長を行う際、MOVPE炉内で行うZnの開管拡散の手法を用い、n型層の一部をp型反転させることで、n-n接続を防止する。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板上に、活性層を含む多層構造を光導波路として直接選択成長により形成し、前記活性層を含む多層構造側面を、第一導電型半導体層及び第二導電型半導体層を含む半導体多層膜で埋め込み、且つ前記第二導電型半導体層の一部領域が第一導電型に反転していることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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