特許
J-GLOBAL ID：200903001664133239

拡散ウェーハの製造方法

発明者：
坂上 浩一

坂上 浩一 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178217
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019450
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】従来の方法では、面内の非不純物拡散層の層厚のウェーハの外周部で規格外れが生じたり、また、製造コスト、製造効率の点で問題があった。【解決手段】本発明はこれらの問題点を解決するためになされたものであり、非不純物拡散層の厚さを複数箇所測定し、その平均値などから鏡面研磨時の狙い値を決めることによって、面内の不純物拡散層xjの厚さのバラツキによる非不純物拡散層の厚さ、特に外周部での層厚の規格外れをなくすと共に、鏡面研磨を繰り返して行うことなく、製造効率も向上させた高品質な拡散ウェーハを製造することが可能となる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの両面に不純物を拡散し不純物拡散層と非不純物拡散層を形成する工程と、前記非不純物拡散層を露出する工程と、この露出した面を鏡面研磨する工程とを備えた拡散ウェーハの製造方法において、 1):鏡面研磨する工程前の前記シリコンウェーハを複数枚用意し、 2):前記複数枚のシリコンウェーハの中央部の厚さを測定し、 3):前記複数枚のシリコンウェーハの中央部、及び周辺部において、前記非不純物拡散層xiの厚さを測定し、 4):前記手順3)で測定した前記中央部の非不純物拡散層の厚さの平均値と、前記中央部及び周辺部を含んだすべての測定点の前記非不純物拡散層の厚さの平均値との差を求め、 5):前記手順4)で算出した値を、予め設定されている非不純物拡散層の厚さの製品規格値に加え、 6):前記手順3)で測定した前記中央部の非不純物拡散層の厚さと、前記手順4)で算出した値との差を、複数枚のシリコンウェーハ毎に算出し、 7):前記手順2)で測定した前記複数枚のシリコンウェーハの中央部の厚さの測定値から、前記手順6)で算出した値を、複数枚のシリコンウェーハ毎に算出し、 8):前記手順7)で算出した複数枚のシリコンウェーハ毎の値の平均値を、前記ロットの鏡面研磨の狙い厚さ値としてシリコンウェーハの鏡面研磨を行うことを特徴とする拡散ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/304 ,  B24B37/04
FI (3件)：
H01L21/304 622R ,  H01L21/304 622S ,  B24B37/04 K
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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