特許
J-GLOBAL ID：200903001671882620
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050111
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247747
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 Inx Aly Ga1-x-y N層に対して、その結晶性を維持しつつ、接触抵抗が低く、かつ、十分な付着強度を有する電極構造を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 本発明の第1の実施の形態においては、n型Inx Aly Ga1-x-y N層上にIV族元素またはVI族元素を含む金属からなる電極を堆積する。また、本発明の第2の実施の形態においては、n型Inx Aly Ga1-x-y N層またはp型Inx Aly Ga1-x-y N層に対して、炭素、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、テルル、イリジウム、ジルコニウム、ハフニウム、銅、窒化チタン、窒化タングステン、モリブデン或いは珪化チタンなどの電極材料を堆積した後にこれらの半導体層のキャリア濃度を上げるような不純物をイオン注入し、アニールする。
請求項（抜粋）：
少なくともn型Inx Aly Ga1-x-y N(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)層を含む複数の化合物半導体層を積層した積層構造体と、この積層構造体における前記n型Inx Aly Ga1-x-y N層のコンタクト領域上に堆積された第1の金属層と、を有し、前記第1の金属層は、IV族元素及びVI族元素のうちの少なくともいずれかの元素成分を含み、前記n型Inx Aly Ga1-x-y N層のコンタクト領域は、前記第1の金属層に含まれていた前記IV族元素及びVI族元素のうちの少なくともいずれかの前記元素成分が拡散侵入されることにより、そのコンタクト領域のキャリア濃度が上昇して、前記第1の金属層との接触抵抗が低下したものとして構成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 27/15
, H01S 3/18
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01L 27/15 B
, H01S 3/18
