半導体発光素子、およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069081
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153892
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】煩雑な製造工程を必要とすることなく、簡易な製造工程によって電極接触部のコンタクト抵抗を低下させ、もって半導体発光素子の発光輝度を高め、その発光駆動を安定させる。【構成】発光層4を挟むn型半導体層3およびp型半導体層5の各表面に、電極6a,6bが設けられている半導体発光素子において、上記n型半導体層3およびp型半導体層5の少なくとも上記電極6a,6bと接触する表面部には、この表面部の電気抵抗値を低下させるためのイオン注入がなされている。

請求項（抜粋）：

発光層を挟むn型半導体層およびp型半導体層の各表面に、電極が設けられている半導体発光素子において、上記n型半導体層およびp型半導体層の上記電極と接触する表面部の少なくとも一部には、この表面部の電気抵抗値を低下させるためのイオン注入がなされていることを特徴とする、半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭54-152485
半導体レーザ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232835 出願人：三菱電機株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-096746 出願人：日本板硝子株式会社

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