不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226803
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043538
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】チップ面積を増大させることなく、抗電界のばらつきを抑制でき、かつ耐圧の低下を防止できる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明の不揮発性半導体記憶装置は、誘電体の電荷量により記憶情報の書換を行なうものであって、電束密度Dと電界Eとの依存性において履歴特性を有する強誘電体膜1と、その強誘電体膜1と電気的に接続された非線形要素2とを備えている。この非線形要素2は、電束密度Dと電界Eとの依存性において電界Eに対する正の電束密度Dの増加量が低電界領域において小さく高電界領域において大きい。

請求項（抜粋）：

誘電体の電荷量により記憶情報の書換を行なう不揮発性半導体記憶装置であって、電束密度Dと電界Eとの依存性において履歴特性を有する強誘電体膜と、前記強誘電体膜と電気的に接続され、かつ電束密度Dと電界Eとの依存性において電界Eに対する正の電束密度Dの増加量が低電界領域において小さく高電界領域において大きい特性と、電流Iと電界Eあるいは印加電圧Vとの依存性において正の電流Iの増加量が低電界もしくは低電圧領域において小さく高電界もしくは高電圧領域において大きい特性との少なくともいずれかの特性を有する非線形要素とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , G11C 11/22

FI (3件)：

G11C 11/22 , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 A

Fターム (7件)：

5F083AD21 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083FR02 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231280 出願人：株式会社東芝
特開平4-018753
強誘電体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205874 出願人：ローム株式会社

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