特許
J-GLOBAL ID：200903001699254942

CuまたはCu合金ボールのはんだ付け方法および金属核はんだボール

発明者：
鶴田 加一

鶴田 加一 について

, 
六本木 貴弘

六本木 貴弘 について


出願人/特許権者：
千住金属工業株式会社

千住金属工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037546
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247617
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】Cuボールの表面にはんだを被覆した従来のCu核はんだボールを用いた電子機器を使用中に誤って落とすような外的衝撃や長年月の使用・不使用によるヒートサイクルが加わると、Cuボールとはんだの界面から剥離することがあった。本発明は金属ボールが剥離しにくい金属核はんだボールのはんだ付け方法と金属核はんだボールを提供することにある。【解決手段】本発明は、核となる金属ボールをはんだ付けする際に、溶融はんだ中にZnを存在させて、ZnによりCuSn金属間化合物層が厚く生成するのを抑制するCuまたはCu合金ボールのはんだ付け方法である。また本発明は、Znを0.001〜15質量%含有させたはんだでCuボールを被覆した金属核はんだボールであり、Cu合金ボールがZnを0.001〜50質量%含有した金属核はんだボールである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CuまたはCu合金ボールを電子部品基板やプリント基板にはんだ付けする際に、CuまたはCu合金ボールとはんだの界面におけるZn濃度を高めてCuSnの金属間化合物の生成を抑制するようにしたことを特徴とするCuまたはCu合金ボールのはんだ付け方法。
IPC (10件)：
H05K3/34 ,  B23K3/06 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  B23K35/28 ,  B23K35/30 ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  H01L23/12
FI (11件)：
H05K3/34 512C ,  H05K3/34 505A ,  B23K3/06 H ,  B23K35/14 A ,  B23K35/26 310A ,  B23K35/28 310D ,  B23K35/30 310C ,  C22C9/04 ,  C22C13/00 ,  C22C18/02 ,  H01L23/12 501Z
Fターム (8件)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD26 ,  5E319GG03 ,  5E319GG11
引用特許：
審査官引用 (3件)

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