誘電体薄膜ならびに薄膜磁気デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-095769
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】単層誘電体薄膜および多層誘電体薄膜をスパッタ法で作製し、温度係数の小さい誘電体薄膜を提供する。【解決手段】一般式M100-xOx で示され、MはSi、Ti、Ta、Zr、Al、Ba、Bi、Pb、Caの1種または2種以上の元素よりなり、且つ、原子%が20≦X≦70であり、-20°Cから100°Cの温度範囲で温度係数が200ppm/°C以下であることを特徴とする誘電体薄膜を得ることができる。また異なる誘電体薄膜を交互に積層することによっても同じ特徴の誘電体薄膜が得られる。さらに、大気中または酸素および酸素との混合ガス雰囲気中で100°C以上500°C以下で熱処理することにより、さらに温度係数の小さい誘電体薄膜が得られ、又同様の熱処理により、誘電体薄膜の耐圧を100MV/m以上に向上すると共に耐湿性も向上させることができる。

請求項（抜粋）：

一般式M100-xOx で示され、MはSi、Ti、Ta、Zr、Al、Ba、Bi、Pb、Caの1種または2種以上の元素よりなり、且つ原子%が20≦X≦70であり、-20°Cから100°Cの温度範囲で温度係数が200ppm/°C以下であることを特徴とする単層誘電体薄膜。

IPC (11件)：

C23C 14/08 , C01B 13/14 , C01B 33/113 , C01G 21/02 , C01G 23/04 , C23C 14/10 , C23C 14/34 , C23C 14/58 , H01B 3/00 , H01F 10/00 , H01G 4/33

FI (16件)：

C23C 14/08 K , C23C 14/08 A , C23C 14/08 E , C23C 14/08 F , C23C 14/08 J , C01B 13/14 Z , C01B 33/113 Z , C01G 21/02 , C01G 23/04 Z , C23C 14/10 , C23C 14/34 M , C23C 14/34 C , C23C 14/58 A , H01B 3/00 F , H01F 10/00 , H01G 4/06 102

引用特許：

審査官引用 (9件)

磁性薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210015 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-080360
電気絶縁性板状材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104905 出願人：新日本製鐵株式会社

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