特許

J-GLOBAL ID：200903001713089780

不揮発性メモリ装置の消去方法。

発明者： 李 龍 圭 ,  金 東 浚 ,  ▲チョ▼ 泯 秀 ,  柳 義 烈 ,  金 珍 浩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175092
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092370
出願日： 2002年06月14日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性メモリ装置の消去方法を提供する。【解決手段】 不揮発性メモリ装置の消去方法において、ソースおよびドレイン領域に、互いに異なるレベルの電圧を、スイッチングしながら、印加する。これによって、消去動作の間に、ソース領域およびドレイン領域の各々にホール注入ピークが示されるようになり、また、ソース領域およびドレイン領域の間の電圧差によって、チャネル側面方向へのホール注入成分が追加されて、全体的に均一かつ速い消去動作が可能になる。

請求項（抜粋）：

第1導電型のバルク領域、前記第1導電型のバルク領域に互いに離れて形成された第2導電型の第1不純物拡散領域および第2導電型の第2不純物拡散領域、前記第1不純物拡散領域および第2不純物拡散領域の間のチャネル領域上に形成された電荷貯蔵膜質、および前記電荷貯蔵膜質上に形成された導電性電極、からなるメモリセル、を有する不揮発性メモリ装置の消去方法において、消去時間の間に、前記バルク領域に、最低電圧レベルを有するバルク電圧を印加する段階と、前記消去時間の間に、前記導電性電極に、前記バルク電圧と同一またはより高い電圧レベルを有するゲート電圧を印加する段階と、前記消去時間の間に、前記第1不純物拡散領域に、前記ゲート電圧より高い電圧レベルを有する第1電気信号を印加する段階と、前記消去時間の間に、前記第2不純物拡散領域に、前記ゲート電圧より高く、前記第1電気信号とは異なる電圧レベルを有する第2電気信号を印加する段階と、を含む不揮発性メモリ装置の消去方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 612 E ,  H01L 27/10 434

Fターム (16件)：

5B025AA01 ,  5B025AA07 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08 ,  5B025AF02 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083ER03 ,  5F083ER11 ,  5F083ER21 ,  5F083ER27 ,  5F101BA45 ,  5F101BB05 ,  5F101BC02 ,  5F101BD02 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-249375
  
• 不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334916   出願人：富士通株式会社
• 不揮発性記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227575   出願人：ローム株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-283495   出願人：富士通株式会社