特許

J-GLOBAL ID：200903016953670932

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 高橋 浩司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110918
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 蓄積窒化膜中に情報をホットエレクトロンの形で書き込む不揮発性半導体記憶装置において、書き込まれる多値情報の種類を増大させる。【解決手段】 積層ゲート構造中において、トンネル酸化膜と蓄積窒化膜とを繰り返し堆積し、複数の蓄積窒化膜を使って多値情報を記憶する。

請求項（抜粋）：

第1および第2の拡散領域を形成された基板と、前記基板上に、前記第1の拡散領域と第2の拡散領域との間のチャネル領域を覆うように形成された積層ゲート構造と、前記積層ゲート構造上に形成されたコントロール電極とよりなり、前記積層ゲート構造は、第1および第2の誘電体膜とを順次積層した積層構造を繰り返し積層してなる不揮発性半導体記憶装置において、前記第1および第2の拡散領域の少なくとも一方に、前記チャネル領域においてホットエレクトロンが発生するような書込み電圧を印加する書込み電圧発生回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 621 Z ,  H01L 27/10 434

Fターム (39件)：

5B025AA04 ,  5B025AB02 ,  5B025AC01 ,  5F001AA14 ,  5F001AB02 ,  5F001AC06 ,  5F001AD15 ,  5F001AD62 ,  5F001AE02 ,  5F001AE08 ,  5F001AF20 ,  5F001AG21 ,  5F083EP18 ,  5F083EP65 ,  5F083EP70 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA30 ,  5F083JA04 ,  5F083KA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083NA02 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA46 ,  5F101BB02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD05 ,  5F101BD37 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 改善されたSN比を有する多値固定値メモリセル
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-524568   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-277761   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-108123   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体記憶装置およびその記憶情報読出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279829   出願人：ローム株式会社