半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213382
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は素子の実効面積が大きく高集積化が可能な半導体装置の構造及び製造方法を提供するものである。【構成】半導体装置中の無効領域であるバーズビークの発生領域に窒素をドーピングすることにより、窒素の酸化抑制作用を利用してシリコン酸化物であるバーズビークの形成を抑制し、かかる無効領域を減少させることにより上記目的を達成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された活性な素子領域と、活性な素子領域を分離するために半導体基板に形成された分離領域から構成される集積回路であって、活性な素子領域と分離領域との境界領域に、窒素をドーピングした領域を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A , H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-334357 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-190995 出願人：株式会社東芝
特開昭61-252645

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