特許

J-GLOBAL ID：200903001811872743

終点検出方法及び膜質評価方法

発明者： 山下 武志
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (6件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-306927
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079289
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 被処理膜に光を照射することにより測定される干渉光を用いて、被処理膜に対するエッチング等の加工の終点を確実に検出できるようにする。 【解決手段】 被処理膜であるポリシリコン膜103に対する低選択比のドライエッチングにおいて、ポリシリコン膜103に光を照射することにより、ポリシリコン膜103とその下地であるゲート酸化膜102との界面、及びポリシリコン膜103の表面のそれぞれからの反射光によって形成される干渉光を測定する。測定された干渉光の波形の乱れに基づき、低選択比のドライエッチングの終点検出を行なう。その後、エッチングモードを低選択比のモードから高選択比のモードに切り替えて、残存するポリシリコン膜103Aに対してドライエッチングを行なってゲート電極103Bを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

被処理膜を加工する際に用いる終点検出方法であって、 前記被処理膜に光を照射することにより、前記被処理膜とその下地層との界面、及び前記被処理膜の表面のそれぞれからの反射光によって形成される干渉光を測定する工程と、 前記測定された干渉光の波形の乱れに基づき、前記被処理膜に対する加工の終点を検出する工程とを備えていることを特徴とする終点検出方法。

IPC (5件)：

H01L21/3065 ,  G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  H01L21/304 ,  H01L21/66

FI (6件)：

H01L21/302 103 ,  G01N1/32 A ,  G01N1/32 B ,  H01L21/304 622S ,  H01L21/66 N ,  G01N1/28 G

Fターム (39件)：

2G052AA13 ,  2G052AC28 ,  2G052AD32 ,  2G052EC11 ,  2G052EC14 ,  2G052EC17 ,  2G052HA04 ,  2G059AA01 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059CC03 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059FF04 ,  2G059GG10 ,  2G059KK01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA48 ,  4M106CB02 ,  4M106DH55 ,  4M106DH57 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004CB09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 終点検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-261105   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (2件)

• 深さ測定装置及び深さ測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-276254   出願人：株式会社東芝
• 試料のドライエッチング方法及びドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-040771   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ