特許
J-GLOBAL ID：200903001814716963

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
斉藤 尚史

斉藤 尚史 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219511
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065174
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置等に用いられる薄膜トランジスタにおいて、ITO等の透明導電性薄膜と良好なコンタクトを形成することができる薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極構造を提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の内、少なくともITO等の透明導電性薄膜からなる電極と接続される電極とITO等の透明導電性薄膜との間に表面に抵抗率において良導体あるいは半導体である酸化膜を形成する金属材料からなるキャップ電極を介在させる。キャップ電極は薄膜トランジスタのソース電極及び/またはドレイン電極上に積層して形成される。または、ソース電極及び/またはドレイン電極の表面を覆うように形成される。あるいは、ソース電極及び/またはドレイン電極上に形成された絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して前記電極に接続される。
請求項（抜粋）：
シリコンを主成分とする半導体層を含む薄膜トランジスタにおいて、前記薄膜トランジスタは前記半導体層に接続されるAlを主成分とする金属からなる第1の電極を有し、前記第1の電極の表面に抵抗率において良導体あるいは半導体である酸化膜を表面に形成する金属材料からなる第2の電極が電気的に接続されるように設けられ、前記第2の電極に透明導電性薄膜からなる電極が電気的に接続されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 616 V
引用特許：
審査官引用 (4件)
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