特許
J-GLOBAL ID：200903001826580560
GaN基材及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326751
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 厚膜のGaN半導体材料の成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN基材を提供すること。【解決手段】 1はベース基板、2は該ベース基板1の表面を部分的に覆うマスク層、3はベース基板1の非マスク部11と直接接触する部位を有すると共に前記マスク層2上を覆うGaN層である。結晶中に存在する転位は、基板を含む下地から継承するか、何れかの成長界面で発生し、結晶成長と共に成長する特性があるが、マスク層2の上は発生源となる下地(成長界面)が存在しないので無転位状態とできる。
請求項（抜粋）：
ベース基板と、該ベース基板の表面を部分的に覆うマスク層と、その上に成長され、ベース基板の非マスク部と直接接触する部位を有すると共に前記マスク層上を覆うGaN層とからなることを特徴とするGaN基材。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/04
, C30B 29/38
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C30B 25/04
, C30B 29/38 D
, H01L 33/00 C
