特許

J-GLOBAL ID：200903001826580560

GaN基材及びその製造方法

発明者： 平松 和政 ,  澤木 宣彦 ,  矢橋 勝典 ,  柴田 巧 ,  只友 一行 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  宮下 啓二
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326751
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】 厚膜のGaN半導体材料の成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN基材を提供すること。【解決手段】 1はベース基板、2は該ベース基板1の表面を部分的に覆うマスク層、3はベース基板1の非マスク部11と直接接触する部位を有すると共に前記マスク層2上を覆うGaN層である。結晶中に存在する転位は、基板を含む下地から継承するか、何れかの成長界面で発生し、結晶成長と共に成長する特性があるが、マスク層2の上は発生源となる下地(成長界面)が存在しないので無転位状態とできる。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、該ベース基板の表面を部分的に覆うマスク層と、その上に成長され、ベース基板の非マスク部と直接接触する部位を有すると共に前記マスク層上を覆うGaN層とからなることを特徴とするGaN基材。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• エピタキシャル成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198305   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭56-150880