ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-013231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294522
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】ウェーハの分割時におけるチッピングを防止することを目的とする。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21のダイシングライン、またはチップ分割ラインに沿って、半導体素子の形成面21’側から完成時のチップの厚さよりも深く、且つ底部に曲面を有する溝22を形成する。そして、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持用のシート26を貼り付けた後、ウェーハの裏面を研削及び研磨して個々のチップ29に分離し、研削及び研磨によってウェーハが個々のチップに分割された後も研削及び研磨を続け、完成時のチップの厚さにする。この際、上記ウェーハの研削及び研磨面が上記溝の底部に達してから、完成時のチップ厚になるまでの研削及び研磨量Aと、上記溝の底部における曲面を有する領域の深さBとの比A/Bが、0.3以上であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、先端部に曲面を有するダイシング用ブレードを用いて、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深く、且つ底部に曲面を有する溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける前記半導体素子の形成面上に保持部材を貼り付ける工程と、前記ウェーハの裏面を研削及び研磨して、ウェーハを個々のチップに分離し、研削及び研磨によってウェーハが個々のチップに分割された後も研削及び研磨を続け、前記完成時のチップの厚さにする工程とを具備し、前記ウェーハの研削及び研磨面が前記溝の底部に達してから、完成時のチップ厚になるまでの研削及び研磨量と、前記溝の底部における曲面を有する領域の深さとの比が0.3以上であることを特徴とするウェーハの分割方法。

IPC (3件)：

H01L 21/301 , H01L 21/304 631 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/304 631 , H01L 21/306 C , H01L 21/78 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016037 出願人：株式会社東芝
裏面チッピングを防止したダイシング方法及びそのブレード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-281130 出願人：株式会社ディスコ
特開平2-162750

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