特許
J-GLOBAL ID:200903001855903638
イオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 学
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-273047
公開番号(公開出願番号):特開2007-083262
出願日: 2005年09月21日
公開日(公表日): 2007年04月05日
要約:
【課題】 本発明の目的は、イオンビームが照射されている個所と、加工目的位置とを一致するのに好適なイオンミリング加工方法、及びイオンミリング加工装置の提供にある。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明によれば、試料上に形成された薄膜にイオンを衝突させ、このイオンの衝突によって薄膜が削り取られる位置を確認して、イオンの衝突位置を補正するイオンミリング加工方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、薄膜が削り取られる位置と、加工目的個所との位置関係を確認することができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
イオンを試料表面に衝突させて、試料を削り取るイオンミリング加工方法において、
前記試料のイオンの衝突個所を含む前記試料領域に、薄膜を形成し、当該薄膜を形成した試料に前記イオンを衝突させることを特徴とするイオンミリング加工方法。
IPC (4件):
B23K 15/00
, H01J 37/305
, G21K 5/08
, G21K 5/04
FI (4件):
B23K15/00 508
, H01J37/305 A
, G21K5/08 A
, G21K5/04 C
Fターム (3件):
4E066BA13
, 4E066CB16
, 5C034BB10
引用特許: