特許

J-GLOBAL ID：200903001863476358

相分離の少ないIII族窒化物4元材料系を用いた半導体構造体および加工方法

発明者： 高山 徹 ,  馬場 孝明 ,  ジェームス エス ハリス ジュニア
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608483
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540638
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：

【要約】レーザーダイオード、トランジスタおよび光検出器を含む半導体構造体に用いるIII族窒化物4元材料系および方法であって、相分離を低減または排除し、かつ発光効率を高めたものを開示する。例示的実施態様において、該半導体構造体は、第1の導電型の実質的に相分離のない第1のInGaAlN層、実質的に相分離のないInGaAlN活性層、および反対の導電型の実質的に相分離のない第2のInGaAlN層を含む。

請求項（抜粋）：

半導体構造体であって、該半導体構造体が、 第1の導電型を有するInGaAlN材料からなる第1クラッド層、 InGaAlN活性層、および 第1の導電型と反対の導電型を有するInGaAlN材料からなる第2クラッド層を含み、相分離を最小限にするように各層の構成要素のモル比を選択した、半導体構造体。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA17 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-029946   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系半導体光発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-213412   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Phase Separation in wurtzite In1-x-yGaxAlyN